La mémoire flash est une mémoire à semi-conducteurs, petite, plate et réinscriptible. À la différence de la mémoire vive, elle peut conserver les données enregistrées même lorsqu’elle n’est plus alimentée électriquement. Par ailleurs, elle ne comporte aucun élément mécanique, ce qui lui confère une très grande résistance aux chocs. La forme de mémoire flash la plus répandue est la Nand (NON-ET) lancée en 1989.
Le recours à la mémoire flash a explosé avec l’avènement des smartphones, des tablettes et autres terminaux mobiles. On la retrouve également dans les cartes mémoire utilisées notamment par les appareils photo numériques (carte SD, cartes micro SD,…) ainsi que dans les clés USB de stockage. La mémoire flash équipe aussi les SSD (Solid State Drive) qui remplacent désormais les disques durs mécaniques dans les ordinateurs ultra-portables.
La tendance s’amplifie encore avec la déferlante des objets connectés. Le problème est que la finesse de gravure de la mémoire flash est en passe d’atteindre une limite physique. En conséquence de quoi, chaque nouvelle génération demande des investissements toujours plus lourds.
Les principaux fabricants ont donc décidé de basculer sur une architecture 3D qui consiste à empiler des cellules (dies en anglais) afin d’augmenter la densité par unité de surface. Les bénéfices sont multiples : vitesse d’écriture plus rapide, meilleure fiabilité et consommation d’énergie moitié moindre que pour la mémoire flash classique.
En 2013, Samsung a lancé la production de masse de sa mémoire V-Nand, suivi de près par Toshiba allié à SanDisk. En 2015, ce fut au tour d’Intel de dévoiler sa mémoire 3D XPoint codéveloppée avec Micron et destinée à une nouvelle génération de SSD haut de gamme. Cette technologie est appelée à remplacer la mémoire flash standard dans les smartphones.
Futura